Marketwired 2014年7月8日美國加利福尼亞州舊金山/

中國傳媒聯盟 據 明通新聞專線/――
 

　　面向半導體行業提供創新的晶圓制造設備和服務的全球主要供應商科林研發(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼：LRCX)今天推出了用于生產3D NAND存儲器的新型薄膜沉積和等離子體蝕刻產品。隨著存儲器客戶開始擴大這些新器件的生產，他們需要更好的工藝控制技術來進行高成本效益的制造。科林研發的新系統在三個重要方面滿足了3D NAND存儲單元的生產需求：堆迭沉積(VECTOR(R) Q Strata(TM))、垂直通道蝕刻(2300(R) Flex(TM) F系列)和鎢字元線沉積(ALTUS(R) Max ICEFill(TM))。
 

　　3D NAND存儲架構包含許多堆迭的薄膜對。為了使成品器件中的每一個存儲單元都具有相同的性能，必須在每一個關鍵步驟中最大限度地減小水平和垂直方向的工藝誤差。否則，一個步驟中的誤差會被轉移到后續步驟中，并在后續步驟中成倍放大，誤差的累積會導致器件性能變差，成品率低。由于薄膜堆迭中有40對以上的薄膜，所以仔細控制即使輕微的誤差也是至關重要的。科林研發的新產品能滿足這些嚴格的控制要求。
 

　　新的VECTOR Q Strata PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)系統被用于沉積多層薄膜堆迭。針對3D NAND制程中的這個關鍵步驟，該系統能夠實現氧化物/氮化物(ONON)和氧化物/多晶硅(OPOP)薄膜堆迭沉積。該系統匹配的反應室具有超低的缺陷率、薄膜應力和晶圓翹曲度，能沉積超光滑、一致的薄膜，避免復合誤差。VECTOR Q Strata還提供業界領先的生產率，單位廠房面積的產量是目前最高的。隨著這些堆迭中的薄膜層數不斷增加，對高成本效益的生產來說，高生產率日益重要。
 

　　一旦成對薄膜堆迭被沉積好，便可用科林研發的2300 Flex F系列介電薄膜蝕刻產品蝕刻一個穿透這個堆迭的垂直通道。這個新系統能夠在變形或側壁損壞最小的前提下刻穿高深寬比的結構，而且還能嚴格控制整個晶圓蝕刻輪廓的均勻性。這種技術能力至關重要，因為即便是小的偏差也能導致存儲單元間的通道尺寸不同，進而導致器件性能變化。一個專利的可調節能量的高離子能源可以滿足這些要求。
 

　　ALTUS Max ICEFill系統是科林研發市場領先的鎢沉積產品線中的最新產品，該系統通過無縫隙地填滿形狀復雜的3D NAND字元線來控制誤差。這個新系統使用一項擁有專利的填充技術，利用由內而外的原子層沉積(ALD)工藝創建鎢字元線。ICEFill工藝能完全填充橫向(水平)線，且沒有任何空隙，同時還能最低限度地減小垂直通道區的沉積。因此提高了器件的電氣性能和產量。
 

　　科林研發負責全球產品的執行副總裁Rick Gottscho表示：“科林研發通過專注協作，正在開展更快、更有效的創新，為我們的客戶提供所需的支持能力。憑借客戶和研發合作伙伴的支持及專業知識，科林研發現在推出了三款產品――VECTOR Q Strata、2300 Flex F系列和ALTUS Max ICEFill――這些產品在開發3D NAND存儲器件和提高它們的產量上將發揮關鍵作用。”
 

　　前瞻性聲明
 

　　本新聞稿包含的非歷史事實的陳述屬于前瞻性陳述，受1995年《私人證券訴訟改革法案》的安全港條款約束。這類前瞻性陳述包括但不限于以下方面的陳述：科林研發的產品表現，如滿足客戶對控制的需求的能力，性能質量，用戶在運營中獲得的生產率，無變形或無損壞地蝕刻的能力，對晶圓上的蝕刻輪廓均勻性的控制和無空隙地填充線的能力，以及科林研發更快、更有效的創新能力，為客戶提供所需性能的能力和科林研發的設備在客戶的產品線上發揮的重要作用。這類前瞻性陳述基于當前的信心和預期，在條件、重要性、價值和效果等方面存在風險、不確定性和變化，包括科林研發在10-K表年報的“風險因素”章節和科林研發向美國證券交易委員會呈報的其他文件中所討論的內容。在條件、重要性、價值和效果方面存在的這些風險、不確定性和變化可能導致實際結果和本文中預測的結果存在實質性的差異。提醒讀者注意不要過度依賴這些前瞻性陳述，這些前瞻性陳述只是截至本文發布日之前做出的。我們不承擔為了反映本文發布后發生的情況而修訂這些前瞻性陳述的義務。
 

　　關于科林研發
 

　　科林研發(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼：LRCX)是向半導體行業提供創新的晶圓制造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助于客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的芯片制程，并獲得面積更小、速度更快、功耗更低的芯片。科林研發憑借合作、持續創新和恪守承諾，正在向原子級技術轉型，幫助客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。了解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com  。
 

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