Marketwired 2014年7月8日美國加州舊金山/

中國傳媒聯盟 據 明通新聞專線/——
 

　　面向半導體行業提供創新的晶圓制造設備和服務的全球主要供應商科林研發(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼：LRCX)今天宣布為其原子層沉積(ALD)設備組合增加了原子層蝕刻(ALE)功能。為2300(R) Kiyo(R) F系列導體蝕刻系統新增加的ALE功能為新一代晶圓工藝技術提供了原子級的誤差控制能力。科林研發還擁有用于介電薄膜ALD的VECTOR(R) ALD Oxide產品和用于鎢金屬薄膜ALD的ALTUS(R)系統，這些產品有助于半導體行業向原子級芯片制造技術轉型。
 

　　隨著制程尺度的不斷縮小和新器件架構的引入，在制造過程中控制工藝誤差變得越來越具有挑戰性。展望新一代技術規格，制程尺寸的誤差很快將達到只有幾個原子大小。此外，器件的深寬比也在不斷擴大，圖形也越來越復雜。對大多數高級結構而言，常規等離子體蝕刻和沉積工藝已無法滿足它們的工藝要求，必須尋找新的方法。ALE和ALD提供了一個解決方案，它采用多步工藝循環，每次沉積或除掉幾個原子層，以此確保精確的控制。不過，該解決方案的難點是，如何提供足夠高的生產率，以使這些工藝適合成本敏感的生產過程。
 

　　科林研發為2300 Kiyo F系列導體蝕刻系統增加的ALE功能為生產過程提供了所需的生產率和技術。該產品利用反應器中的氣體快速開關和高級等離子體技術提高生產率，同時在高深寬比(深而窄)的制程中利用動態射頻偏壓進行定向蝕刻。2300 Kiyo F系列系統是科林研發市場領先的Kiyo設備組合中的最新產品，它憑借對稱的反應室設計、先進的靜電夾頭技術和獨立的工藝優化功能，提供了卓越的一致性和可重復性。
 

　　最新發布的VECTOR ALD Oxide系統可沉積介電薄膜，用作FinFET結構和硅通孔(TSV)結構所需的襯墊和隔片，以及多重曝光方案所用的隔片。該系統通過原子級控制技術縮小誤差，而且即使在非常具有挑戰性的高深寬比制程中也能沉積高保形ALD薄膜。VECTOR ALD Oxide系統還能提供和其他系統相當或更好的生產率，具有總體擁有成本優勢。該系統還具有單晶圓工藝的循環時間優勢。
 

　　科林研發行業領先的ALTUS產品系列是鎢薄膜生產的基準，已多年用于鎢和氮化鎢合金的原子層沉積。它采用專利的沉積技術和系統架構，可以沉積具有低電阻率的高保形金屬薄膜。ALTUS ALD工藝還能完全填充高級存儲器與邏輯應用中常見的凹入結構。
 

　　科林研發高級副總裁兼首席技術官Dave Hemker表示：“半導體行業在不斷積極縮小器件尺寸，而這需要新的制造方法——特別是在蝕刻和沉積工藝方面。通過持續創新，我們用新型原子級工藝技術滿足了這方面的需求，為芯片制造商提供了制造新一代器件所需的高級技術、工藝控制和生產能力。”
 

　　前瞻性聲明
 

　　本新聞稿包含的非歷史事實的陳述屬于前瞻性陳述，受1995年《私人證券訴訟改革法案》的安全港條款約束。這類前瞻性陳述包括但不限于以下方面的陳述：科林研發的產品表現，如滿足原子級工藝技術的生產率和技術需求的能力，為客戶應用減小誤差的能力和相比于其他方法或設備更好的工藝結果，以及科林研發滿足客戶需求的能力和為新一代器件制造提供技術、工藝控制和生產能力的能力。這類前瞻性陳述基于當前的信心和預期，在條件、重要性、價值和效果等方面存在風險、不確定性和變化，包括科林研發在10-K表年報的“風險因素”章節和科林研發向美國證券交易委員會呈報的其他文件中所討論的內容。在條件、重要性、價值和效果方面存在的這些風險、不確定性和變化可能導致實際結果和本文中預測的結果存在實質性的差異。提醒讀者注意不要過度依賴這些前瞻性陳述，這些前瞻性陳述只是截至本文發布日之前做出的。我們不承擔為了反映本文發布后發生的情況而修訂這些前瞻性陳述的義務。
 

　　關于科林研發
 

　　科林研發(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼：LRCX)是向半導體行業提供創新的晶圓制造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助于客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的芯片制程，并獲得面積更小、速度更快、功耗更低的芯片。科林研發憑借合作、持續創新和恪守承諾，正在向原子級技術轉型，幫助客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。了解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com 。
 

　　聯系方式：
 

　　Bob Climo
 

　　企業傳播
 

　　+1-510-572-5048
 

　　bob.climo@lamresearch.com